图解入门半导体系列(器件缺陷+功率半导体)(全2册)

《图解入门半导体系列(器件缺陷+功率半导体)(全2册)》由(日)佐藤淳一等著

山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。曾任大阪大学特聘教授、金泽工业大学客座教授、日本可靠性学会副会长等职。现任芝浦工业大学兼职讲师。佐藤淳一，毕业于京都大学工学研究科，并获得硕士学位。1978年开始就职于东京电气化学工业株式会社（现TDK），1982年开始就职于索尼公司。一直从事半导体和薄膜器件相关工艺的研究开发工作。在此期间，参与创建半导体技术公司，担任长崎大学兼职讲师、行业协会委员等职位，同时也是应用物理学会员。

《图解入门:功率半导体基础与工艺精讲:原书第3版》

《图解入门:半导体器件缺陷与失效分析技术精讲》