漫谈光通信·芯片卷

20世纪60年代发明了激光器、70年代发明了低损耗光导纤维，开启了光通信产业的大门。国际国内光通信的发展如火如荼，应用日益广泛，逐渐与普通民众的生活息息相关。本书语言诙谐，采用大量创意插图，将专业的知识通俗化，给读者以轻松愉悦的阅读体验。

光通信作为一个新兴产业，逐渐成为现代通信的主要支柱之一。本书采用通俗诙谐的语言，采用大量创意插图，深入浅出地向读者介绍光通信领域中光芯片相关理论及其技术知识，同时对光芯片及相关产品的应用、市场、历史、发展等进行了多角度解读。

匡国华，籍贯河北省石家庄市。毕业于电子科技大学，曾就职于华中光电技术研究所和中兴通讯，光通信行业从业近二十年，2015年创办光通信行业自媒体“光通信女人”，创号4年，平均年阅读超过300万人次，渐成为行业内主要的技术、市场、咨询交流平台。2016年创办菲魅通信技术有限公司，为光通信行业供应链、人才特聘、共享资源提供服务。

"半导体激光器激光器2
激光器小信号频响24
DFB激光器等效电路模型26
FP，DFB，DBR的区别30
【5G光模块】——FP激光器的模式分配噪声35
DFB双峰对光通信系统的影响37
DFB激光器双峰40
DFB直调激光器的发展方向41
相干光模块中的窄线宽激光器46
用于突发模式下一代PON的MEL激光器双电级DFB47
非制冷DWDM激光器50
FP和DBR的区别53
DFB的发展史58
DFB的光栅60
双腔DFB激光器62
区分FP，DFB，DML，EML，VCSEL65
激光器发散角优化结构69
为什么激光器的BH结构需要多次外延71
背光74
为什么不能“轻易”把GPON  ONU的DFB激光器换成
便宜的FP76
区分DFB，DML，EML80DBR激光器82
DFB激光器的增益耦合光栅与折射率耦合光栅83
多纵模激光器的传输距离87
单纵模激光器的传输距离89
FP与DFB的波长温度漂移91
区分电光效应、光电效应与电致发光效应94
相干通信历程、可调谐光源标准发展史97
可调谐激光器102
外腔激光器104

DML的啁啾与补偿激光器的啁啾、展宽与色散108
啁啾110
直调激光器啁啾管理的几个方案113
啁啾光栅与色散补偿115
利用微环做DML的啁啾管理117
直调激光器的传输并不是距离越长TDP就一定越大121
PT对称光栅122
Avago的高速VCSEL124
MEMS  VCSEL128
比VCSEL小100倍的BICSEL130
Finisar  VCSEL  用OM4光纤可传输2.3km的56Gb/s  
PAM4信号134
超薄激光器135

铌酸锂调制器电光调制器140
铌酸锂调制器141
为何铌酸锂调制器那么长146
铌酸锂薄膜制备148

电吸收调制器EAM电吸收调制器等效模型154
为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压157
电吸收调制器的吸收波长红移159
非制冷单波100Gb/s  EML164
EML更容易实现更大的消光比167
电吸收调制激光器EML169
为什么EML要加一个TEC171

调制器热光调制176
PN结载流子耗尽型硅基调制器178
光调制器的载流子耗尽型与注入型的区别181

光探测器探测器186
探测器响应度与光模块灵敏度之间的关系196
几种探测器的结构198
垂直型与波导型PIN202
平衡探测器204
探测器速率与结电容207
探测器结构与响应度、灵敏度211
探测器材料与截止波长214
探测器材料之Si，GeSi，GaAs217
探测器响应度下降原因218APD的盖革模式220
APD盖革模式的应用223
光电二极管台面结构225

半导体工艺GaAs衬底230
激光器衬底——InP单晶233
激光器中含铝材料238
为什么激光器的热烧蚀，更容易发生在腔表面244
激光器有源材料晶格缺陷与可靠性，GaAs比InP更难246
激光器晶格缺陷之线位错248
激光器衬底生长技术： VGF垂直梯度凝固法250
分子束外延253
半导体工艺中的“退火”257
激光器材料生长——张应变和压应变260
衍射极限264
电子束光刻EBL269
纳米压印271
激光器波导结构制作： 干法刻蚀与湿法刻蚀273
MACOM激光器垂直端面刻蚀280
DFB激光器的倒台波导283
磁控溅射——光芯片电极制作287
CBN立方氮化硼291
脉冲激光溅射292
电子束蒸镀——光芯片电极制作296
半导体激光器欧姆接触以及欧姆接触与肖特基接触的
区别299
激光器减薄，与台阶仪厚度检测原理304
激光器端面钝化307
激光器从材料到芯片310激光器晶圆划片与裂片314
特殊波导制作与激光冷加工319

半导体物理与器件结构电芯片的材料Si，GeSi和GaAs324
半导体材料，P型、N型半导体与PN结328
FET，MOSFET，MESFET，MODFET330
三星3nm全环栅结构335
5nm晶体管技术之争GAA  FET，IMEC  8nm纳米线337
晶体管之BJT，FET，CMOS，HBT，HEMT340
电芯片的锗硅与CMOS区别343
MOSFET与符号344

缩略语349’"