NAND FLASH固态存储优化与差错控制原理、算法与智能策略

本书深入探讨了NANDFlash国态存储领域的核心技术和挑战，从基本原理出发，逐步展开对错误成因、管理优化算法、差错控制技术、纠错码实现、智能算法建模以及针对3-D闪存的特殊优化策略的详细论述。全书结构清晰，内容涵盖广泛，旨在为相关领域的研究者、工程师及技术人员提供一套全面而深入的知识体系，助力他们在NANDFlash固态存储的设计、优化与运维方面取得新的突破。通过本书，读者将能够深入理解NANDFlash的物理特性、错误机制以及如何通过 的算法和智能策略来提升数据存储的可靠性、耐用性和性能表现。

第1章 绪论 1
1.1 研究背景 1
1.2 基于NAND Flash的固态存储的基本原理 2
1.3 NAND Flash错误成因及特征分析 7
1.4 固态存储管理优化算法研究现状 12
1.5 本书内容的章节安排 21
第2章 基于闪存介质数据失效模式的差错控制技术 22
2.1 基于数据模式差异的联合编码策略 22
2.2 基于页耐受力差异的FTL优化策略 40
2.3 基于错误率预测模型的PGWL策略 62
2.4 延长NAND Flash数据可靠存储时间管理策略 82
第3章 基于改进纠错码的闪存数据存储信道编码技术 93
3.1 纠错码综述 93
3.2 BCH算法的实现与优化 97
3.3 面向闪存系统的LDPC码技术研究 117
第4章 基于智能算法的闪存全寿命周期错误建模 158
4.1 智能算法建模综述 158
4.2 基于支持向量回归法的NAND Flash错误率预测研究 162
4.3 基于机器学习的闪存错误率预测方法研究 187
第5章 面向3－D闪存的RRV校准方法 228
5.13 －D闪存RRV校准背景及阈值电压分布测试方法 228
5.2 基于3－D闪存多维度底层错误特性挖掘的RRV校准方法 233
5.3 基于3－D闪存温度特性挖掘的RRV校准方法 253
参考文献 293
名词索引 315